SK하이닉스, 세계 최초 ‘HKMG’ 공정 적용 모바일 D램 개발

[스마트에프엔=신종모 기자] SK하이닉스는 세계 최초로 모바일용 D램에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 도입한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다. 

HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정으로 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다. 

이번에 SK하이닉스가 개발한 LPDDR5X는 모바일용 D램 중에서는 최초로 HKMG 공정을 도입해 속도 향상은 물론 소비전력 감소라는 두 마리 토끼를 모두 잡았다.

LPDDR5X를 통해 D램의 소비전력이 더욱 낮아지면서 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 한번 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다. 동작 속도도 LPDDR5X는 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5기가비피에스(Gbps)를 자랑한다.

아울러 제품의 소비전력 감소는 결국 소비자들이 사용하는 전력의 감소로 이어질 수 있어 SK하이닉스가 추구하고 있는 사회·환경·지배구조(ESG) 중심 경영의 가치와도 같다. 

이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄이는 데도 성공해 업계 최고의 전력사용 효율성을 확보했다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5를 양산했다. 올해는 업계 최고 속도(4,266MHZ/8.5Gbps)의 LPDDR5X를 개발해 메모리 반도체의 절대 강자임을 다시 한번 입증했다. 

이재혁 TL은 “단순히 모바일 디바이스의 사용 시간을 늘리기 위한 것이 아니라 ESG 측면도 함께 고려해 보다 획기적인 소비전력 감소를 기획했다”며 “덕분에 전 세대 대비 25% 이상의 소비전력 감소를 기대할 수 있게 됐다”고 말했다. 

업계는 “SK하이닉스가 과감하고 도전적인 시도를 통해 세계 최초로 LPDDR에 HKMG 공정을 도입해 개발에 성공했다”고 평가했다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr