WSJ “SK하이닉스, 美 인디애나주에 5.3조원 투자해 반도체 공장 건설”

SK하이닉스가 미국 인디애나주 서부 웨스트 라피엣에 첨단 반도체 패키징 공장을 건설을 위해 40억달러(약 5조3000억원)를 투자할 계획이라고 월스트리트저널(WSJ)이 소식통을 인용해 26일(현지시간) 보도했다.

WSJ는 소식통을 인용해 SK하이닉스 이사회는 조만간 이 결정을 승인할 것이라고 전했다. 

소식통은 “이번 공장 건설로 800∼1000개의 일자리가 창출된다”며 “연방과 주 정부의 세금 인센티브 등 지원이 프로젝트 자금 조달에 도움이 될 것”이라고 설명했다.

소식통은 이어 “애초 SK하이닉스는 대만 반도체 기업 TSMC와 인텔 공장이 들어서는 등 반도체 산업이 급성장하고 있는 애리조나주도 고려했다”면서 “하지만 퍼듀대를 통해 엔지니어 풀을 확보할 수 있다는 이점을 감안해 인디애나주를 최종 선택했다”고 말했다.

앞서 영국 파이낸셜타임스(FT)는 지난 1일 SK하이닉스가 인디애나주를 반도체 패키징 공장 부지로 선정했다고 보도했다. 

FT 소식통을 인용해 “이 공장은 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)에 들어갈 고대역폭 메모리(HBM) 제조를 위한 D램 적층에 특화한 시설이 될 것”이라고 전했다. 

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 지난달 19일 경기 성남시 더블트리 바이 힐튼 호텔에서 열린 한국반도체산업협회 정기총회를 마치고 취재진과 만난 자리에서 “공장 부지 선정을 놓고 다각도로 여러 측면을 검토 중”이라며 “올해 안에 마무리되도록 노력하겠다”고 언급한 바 있다. 

한편 SK하이닉스는 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다. 

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전이다.

SK하이닉스는 HBM3E가 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 강조했다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr