삼성전자·ASML 1조원 투자…국내에 차세대 반도체 R&D센터 짓는다

삼성전자와 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML이 차세대 메모리 개발에 필요한 극자외선(EUV) 기술을 한국에서 공동 개발에 나서기로 했다. 이를 위해 양사는 ‘차세대 반도체 제조기술 연구개발(R&D)센터’의 부지 선정 절차를 진행 중인 것으로 알려졌다. 

앞서 양사는 12일(현지시간) 네덜란드 ASML 본사에서 열린 한국·네덜란드 반도체 협력 협약식에서 EUV 공동 연구소 설립에 관한 업무협약(MOU)을 체결한 바 있다. 

13일 산업통산자원부에 따르면 삼성전자와 ASML은 7억유로(약 1조원)를 투자해 차세대 노광장비 개발을 추진할 계획이다. 각 사 투자 금액은 비공개하기로 했다.

연구소는 국내 수도권에 설립될 예정이다. 국내 수도권 지역을 대상으로 부지 적합도 평가 중이다. 부지가 확정되면 내년 중 착공에 들어갈 예정이다. 

양사는 연구소에서 차세대 극자외선 EUV를 활용한 반도체 공정기술을 개발한다. 

ASML은 최첨단 반도체 양산에 필요한 EUV 노광장비를 세계에서 유일하게 생산하는 기업이다. ASML이 독점 공급하는 EUV 노광장비는 빛의 파장이 기존 장비보다 짧아 이를 이용하면 더 미세한 반도체 회로를 만들 수 있다. 특히 7나노 이하 반도체 초미세공정에 꼭 필요한 장비로 꼽힌다.

업계에서는 ASML이 글로벌 메모리 반도체 1위 국가인 한국에 투자하는 것이 차세대 노광 기술 확보에 유리하다는 판단했다. 이에 삼성전자와 공동 연구소 설립에 합의했을 것으로 보고 있다. 

삼성전자 역시 이번 협약에 따라 최첨단 메모리 개발에 필요한 차세대 EUV 양산 기술을 조기 확보하고 최신 장비를 적극 도입해 메모리 미세공정 혁신을 이끌 계획이다.

아울러 SK하이닉스도 EUV 공정에서 전력 사용량과 탄소 배출을 줄이는 기술을 ASML과 공동 개발하는 협약을 체결했다. 

SK하이닉스는 현재 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) D램 제조공정에 ASML의 EUV 장비를 적용 중이다. 

SK하이닉스는 이번 협약에서 EUV를 운용할 때 내부 오염원 제거 등에 쓰이는 수소 가스를 포집한 뒤 연료전지로 재활용해 전력화하는 기술을 ASML과 공동 개발하기로 했다.

업계 관계자는 “차세대 메모리 개발에 필요한 EUV 기술을 한국에서 공동 개발하기로 함에 따라 최첨단 메모리 개발을 위한 국내 반도체 생태계 조성과 성장에도 한층 더 속도가 붙을 것”이라고 말했다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr